Руководитель: Дорошкевич А.С.

Рабочий телефон: +7 (496) 216-59-24

Рабочий email: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.

Постановка проблемы:

Для повышения динамических характеристик мощных и сверхмощных полупроводниковых диодов требуется ускорительная модификация приповрехностного слоя кристаллов ионами водорода ии / или гелия. Так же, требуется методика оперативного контроля глубины залегания слоя имплантированных ионов.  

Цель работы: 

Выявление физических мехнизмов воздействия имплантированных ионов на электрические харакетристики полупроводниковых кристаллов; разработка методики контроля глубины залегания и толщины слоя имплантированных ионов с использованиме Метода Резерфордовского обратного рассеяния.  

Задачи:

1. Исследование электрических свойств кремниевых кристаллов после имплантации однозарядных ионов водорода и гелия методами импедансной спектроскопии.

2. Выявление физических мехнизмов воздействия имплантированных ионов на электрические характеристики полупроводниковых кристаллов;

3. Разработка методики контроля глубины залегания и толщины слоя имплантированных ионов с использованием Метода Резерфордовского обратного рассеяния.

4. Подготовка научных публикаций и патента.

Научные установки: 

Экспериментальная инфраструктура ускорительного комплекса ЭГ-5