Руководитель: Ямурзин Владик Рафикович

Рабочий email: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.

Постановка проблемы:

В большинстве исследований радиационные испытания обычно фокусируются на самих электронных устройствах, а не на основных полупроводниковых материалах. Однако данные о радиационно-стимулированных изменениях параметров устройств (токи насыщения и утечки, коэффициенты усиления, напряжение пробоя) затруднительно использовать для получения информации о механизмах действия ионизирующих излучений на устройства. Поэтому актуальны исследования устойчивости фундаментальных оптических, электрических и структурных свойств полупроводниковых гетероструктур к ионизирующему нейтронному облучению.

Цель работы: 

Главная цель работы заключается разработке и развитии научно-методических, аппаратных и программных средств контроля работоспособности современных и перспективных изделий датчиков Холла для задач радиационных экспериментальных исследований и испытаний. Дополнительно, разработка комплекса аналитических и численных моделей для проведения оптимизации тепловых и электрофизических параметров многосекционных HEMT с учетом работы прибора в условиях радиационного облучения.