29.11.2024 11:00 Конференц-зал корпуса 119

"Моделирование воздействия нейтронного излучения на полупроводниковые гетероструктуры InAs"

В.Р. Ямурзин

В данной научной работе проведено обширное численное моделирование воздействия нейтронов различных энергий на полупроводниковые пленки InAs, используя программное обеспечение Geant4. Исследование охватывает весь спектр реакций, которые могут происходить в материале при облучении нейтронами.
Важным аспектом работы было детальное изучение влияния энергии нейтронов на реакции, происходящие в полупроводнике. Результаты включают в себя данные о различных типах вторичных частиц, которые образуются при взаимодействии нейтронов с полупроводником.
Данный исследовательский проект имеет важное значение для понимания физических процессов, происходящих в полупроводниках при облучении нейтронами, и может привести к разработке новых методов контроля и управления свойствами полупроводниковых материалов. Полученные результаты будут использоваться для сравнения с результатами облучения образцов на реакторе с определенным нейтронным спектром, что позволит более точно прогнозировать электрофизические характеристики полупроводника и его поведение в различных условиях.
Кроме того, данное исследование может найти применение в различных областях, включая ядерную энергетику, электронику и медицинскую технику, аэрокосмическую отрасль, где понимание воздействия нейтронов на полупроводниковые материалы играет важную роль.
В докладе автор актуализирует имеющиеся результаты по моделированию и сформулирует направление дальнейших исследований.